Velká účinnost a odolnost 3L TO-220AB SiC dioda

Skvělá účinnost a odolnost 3L TO-220AB SiC dioda Doporučený obrázek

Krátký popis:

Struktura balení: 3L TO-220AB

Úvod: SiC dioda YUNYI 3L TO-220AB je vyrobena z materiálů karbidu křemíku. Diody SiC mají vysokou tepelnou vodivost, což může účinně zlepšit hustotu výkonu. Čím vyšší je tepelná vodivost, tím silnější je schopnost materiálu přenášet teplo do okolí, čím menší je nárůst teploty zařízení, tím více přispívá ke zlepšení hustoty výkonu výkonového zařízení, takže je vhodnější pro práci v prostředí s vysokou teplotou. Vysoká intenzita průrazného pole SiC diod zvyšuje výdržné napětí a snižuje velikost a vysoká průrazná síla elektronického pole zvyšuje průrazné napětí polovodičových výkonových zařízení. Současně lze v důsledku zvýšení intenzity pole elektronového průrazu v případě zvýšení hustoty průniku nečistot snížit širokopásmové pásmo driftové oblasti SiC diodového napájecího zařízení, takže velikost výkonového zařízení lze snížit.

Pošlete nám e-mail

Detail produktu

Sledování doby odezvy

Rozsah měření

Štítky produktu

Výhody 3L TO-220AB SiC diody YUNYI:

1. Konkurenční náklady s vysokou kvalitou

2. Vysoká efektivita výroby s krátkou dodací lhůtou

3. Malá velikost, která pomáhá optimalizovat prostor na desce plošných spojů

4. Odolné v různých přírodních prostředích

5. Samostatně vyvinutý nízkoztrátový čip

Kroky výroby čipu:

1. Mechanický tisk（Super-přesný automatický tisk plátků）

2. Automatické první leptání （Automatické leptací zařízení， CPK> 1,67）

3. Automatický test polarity (přesný test polarity)

4. Automatická montáž （Automaticky vyvinutá přesná montáž）

5. Pájení (ochrana směsí dusíku a vodíku vakuové pájení)

6. Automatické druhé leptání (automatické druhé leptání s ultračistou vodou)

7. Automatické lepení (jednotné lepení a přesný výpočet jsou realizovány automatickým přesným lepicím zařízením)

8. Automatický tepelný test (automatický výběr tepelným testerem)

9. Automatický test (Multifunkční tester)

Parametry produktů:

Číslo dílu	Balík	VRWM V	IO A	IFZM A	IR μa	V_F V
ZICRF10650CT	ITO-220AB	650	10	60	60	1.7
ZICRF5650	ITO-220AC	650	5	60	60	2
ZICRF6650	ITO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065F	ITO-220AC	650	6	70	3 (typicky 0,03)	1,7 (typicky 1,5)
ZICRF10650	ITO-220AC	650	10	100	120	1.7
ZICRF101200	ITO-220AC	1200	10	110	100	1.8
12600 ZICRF	ITO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICRF12650	ITO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065F	ITO-220AC	650	3	46	2 (typicky 0,03)	1,7 (typicky 1,4)
Z3D10065F	ITO-220AC	650	10	115	40 (typicky 0,7)	1,7 (typicky 1,45)
Z4D10120F	ITO-220AC	1200	10	105	200 (typicky 30)	1,8 (typicky 1,5)
ZICR10650CT	TO-220AB	650	10	60	60	1.7
Z3D20065C	TO-220AB	650	20	115 (za nohu)	40 (typicky 0,7) (na nohu)	1,7 (typicky 1,45) (na nohu)
ZICR5650	TO-220AC	650	5	60	60	2
ZICR6650	TO-220AC	650	6	60	50	2
Z3D06065A	TO-220AC	650	6	70	3 (typicky 0,03)	1,7 (typicky 1,5)
Z3D10065A	TO-220AC	650	10	115	40 (typicky 0,7)	1,7 (typicky 1,45)
ZICR10650	TO-220AC	650	10	110	100	1.7
Z3D20065A	TO-220AC	650	20	170	50 (typicky 1,5)	1,7 (typicky 1,45)
ZICR101200	TO-220AC	1200	10	110	100	1.8
ZICR12600	TO-220AC	600	12	50	150	1.7
ZICR12650	TO-220AC	650	12	50	150	1.7
Z3D03065A	TO-220AC	650	3	46	2 (typicky 0,03)	1,7 (typicky 1,4)
Z4D04120A	TO-220AC	1200	4	46	200 (typicky 20)	1,8 (typicky 1,5)
Z4D05120A	TO-220AC	1200	5	46	200 (typicky 20)	1,8 (typicky 1,65)
Z4D02120A	TO-220AC	1200	2	44	50 (10 typických)	1,8 (typicky 1,5)
Z4D10120A	TO-220AC	1200	10	105	200 (typicky 30)	1,8 (typicky 1,5)
Z4D20120A	TO-220AC	1200	20	162	200 (typicky 35)	1,8 (typicky 1,5)
Z4D08120A	TO-220AC	1200	8	64	200 (typicky 35)	1,8 (typicky 1,6)
Z4D15120A	TO-220AC	1200	15	100	200 (typicky 35)	1,8 (typicky 1,5)
Z3D15065A	TO-220AC	650	15	162	25 (typicky 0,5)	1,7 (typicky 1,5)
Z3D06065I	TO-220-IZolace	650	6	70	3 (typicky 0,03)	1,7 (typicky 1,5)
Z3D10065I	TO-220-IZolace	650	10	115	40 (typicky 0,7)	1,7 (typicky 1,45)